什么是霍尔效应 ?
半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流 I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度 B越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。
半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流 I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度 B越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。